ВЛИЯНИЕ ПОГЛОЩЕНИЯ НАКАЧКИ НА ГЕНЕРАЦИЮ ИНФРАКРАСНОГО ВЫНУЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОННОГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ В ПАРАХ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ
Агафонов А.И., Григорян Г.Г., Знаменский Н.В., Маныкин Э.А., Орлов Ю.В., Петренко Е.А., Ситников М.Г., Малакян Ю.П.

Received: August 27, 2001

PACS: 42.55.Lt, 32.80.Bx

DJVU (125.9K)

PDF (447.7K)

Экспериментально и теоретически исследованы основные характеристики инфракрасного вынужденного электронного комбинационного рассеяния (ВЭКР) на переходе 6 ²S_1/2-7 ²S_1/2 атома цезия в зависимости от концентрации атомов, которая варьировалась от 10¹¹ до 10¹⁶ см^-3. Установлено существенное влияние процесса однофотонного поглощения накачки при перестройке ее частоты вблизи частот переходов 6 ²S_1/2-7 ²P_1/2,3/2 на эффективность генерации стоксова излучения. С использованием уравнения для матрицы плотности, описывающего эволюцию трехуровневой системы, построена теория резонансного возбуждения ИК-излучения при однофотонном поглощении на смежном переходе, хорошо описывающая основные особенности ИК ВЭКР в парах щелочных металлов.