ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ИНТЕРФЕЙСЕ ТИПА II В ЭМПИРИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ
Ивченко Е.Л., Нестоклон М.О.

Received: September 17, 2001

PACS: 73.21.-b, 78.67.-n

DJVU (133.1K)

PDF (423.8K)

Построена теория сильной связи в многослойных полупроводниковых гетероструктурах типа II, в которых состояния электронов и дырок размерно квантованы в соседних слоях и перекрываются в узкой области вблизи интерфейса. Главное внимание уделяется расчету линейной поляризации фотолюминесценции, обусловленной анизотропией химических связей на идеальном интерфейсе, при излучении вдоль оси роста. Выведено выражение для матричного элемента оптического перехода на интерфейсе типа II при произвольной поляризации излучаемого фотона. Рассмотрение проведено в рамках sp³-модели сильной связи. Проанализировано, как влияют на линейную поляризацию фотолюминесценции интерфейсные параметры сильной связи, рассматриваемые в качестве свободных параметров. Теория допускает гигантскую линейную поляризацию фотолюминесценции, обнаруженную в гетероструктуре ZnSe/BeTe, и предсказывает, что плоскость поляризации, как правило, совпадает с плоскостью, в которой лежат химические связи на гетеропереходе.