ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА, ОБРАЗОВАННОГО БАНАНОВИДНЫМИ МОЛЕКУЛАМИ
Штыков Н.М., Барник М.И., Палто С.П., Блинов Л.М., Pelzl G., Weibflog W.

Received: September 13, 2001

PACS: 61.30.Gd, 61.30.Cz

DJVU (116.4K)

PDF (453.5K)

Исследованы диэлектрические свойства антисегнетоэлектрической B₂-фазы гомолога (n=14) серии 4-хлоро-1.3-фенилен бис[4-(4-n-алкилфенилимино)бензоатов] c банановидной формой молекул. Измерена температурная зависимость времени диэлектрической релаксации и определена соответствующая энергия активации. Кинетика изменения диэлектрической проницаемости была изучена в процессе изменения вектора поляризации под действием медленно меняющегося электрического поля треугольной формы во всем диапазоне существования B₂-фазы. Вид зависимости диэлектрической проницаемости от величины этого поля (смещения) определяется наличием двух полярных подсистем, образующих B₂-фазу.