ZhETF, Vol. 121,
No. 3,
p. 692 (March 2002)
(English translation - JETP,
Vol. 94, No. 3,
p. 593,
March 2002
available online at www.springer.com
)
РЕЗОНАНСНЫЕ АКЦЕПТОРНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ОДНООСНО-ДЕФОРМИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Одноблюдов М.А., Прокофьев А.А., Яссиевич И.Н.
Received: July 12, 2001
PACS: 71.22.+i
Предложен новый подход к расчету параметров резонансных состояний, позволяющий находить также вероятности резонансного рассеяния и вероятности захвата на резонансное состояние. Он основан на использовании метода конфигурационного взаимодействия, впервые предложенного Фано для рассмотрения автоионизации атома гелия. Для состояний континуума и затравочного локального состояния используются, следуя Фано, два разных гамильтониана нулевого приближения. Волновые функции строятся, следуя Дираку, как это принято в общей теории рассеяния. Детальное рассмотрение и конкретные расчеты выполнены для акцепторных резонансных состояний в одноосно-деформированном германии при давлении вдоль осей [001] и [111].
|
|