Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 121, No. 2, p. 462 (February 2002)
(English translation - JETP, Vol. 94, No. 2, p. 395, February 2002 available online at www.springer.com )

ПРОЦЕССЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ РЕЛАКСАЦИИ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО В ПИРОХЛОРЕ Cd2Nb2O7
Колпакова Н.Н., Чарнецки П., Наврочик В., Сырникова П.П., Лебедев А.О.

Received: July 24, 2001

PACS: 77.22.Ch, 77.22.Gm

DJVU (137.3K) PDF (470.7K)

Исследована диэлектрическая дисперсия пирохлора Cd2Nb2O7 в широком диапазоне частот (100 Гц-13 МГц) в слабом электрическом поле при медленном охлаждении образца со скоростью 0.5 K/мин в интервале температур 80-300 К. При понижении температуры и приближении к Tc=196 K и T_{max}\sim 190 K в поведении диэлектрической проницаемости наблюдается отклонение от закона Кюри-Вейсса. Предполагается, что это отклонение вызвано развитием короткодействующей корреляции между локальными полярными областями при T \rightarrow T^+_{max}. Рассчитан локальный параметр порядка q(T)\sim\langle P_iP_j \rangle^{1/2} по диэлектрической проницаемости \varepsilon'(T) на нескольких частотах. Его поведение сравнивается с поведением спонтанной поляризации Ps(T), полученной по измерениям пироэлектрического тока во внешнем электрическом поле Edc=0.95 кВ/см. Показано, что в диапазоне частот от 100 Гц до 13 МГц дисперсия диэлектрического отклика в интервале температур 180-192 К характерна для релаксаторного сегнетоэлектрика со стеклоподобным поведением. Определены параметры этого состояния: энергия активации флуктуаций поляризации E_a\approx 0.01 эВ, скорость релаксации f0 = 1.9• 1012 Гц при T \rightarrow \infty и температура замораживания флуктуаций поляризации Tf=183 К. В отличие от ранее известных релаксаторных сегнетоэлектриков типа PMN, в пирохлоре Cd2Nb2O7 это состояние существует одновременно с нормальным сегнетоэлектрическим состоянием, появляющимся при Tc.

 
Report problems