РЕЗОНАНСНЫЕ СОСТОЯНИЯ МЕЛКИХ АКЦЕПТОРОВ В ОДНООСНО-ДЕФОРМИРОВАННОМ ГЕРМАНИИ
Козлов Д.В., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И.

Received: March 28, 2001

PACS: 71.23.An, 71.55.-i, 71.70.Fk

DJVU (85.8K)

PDF (290.2K)

Теоретически исследуются состояния мелких акцепторов в одноосно-деформированном Ge. Развит численный невариационный метод расчета, позволяющий находить энергии и волновые функции как локализованных состояний дырок в поле акцептора, так и состояний непрерывного спектра, включая резонансные примесные состояния. Изучена зависимость энергии нижнего резонансного состояния от величины деформации, в частности, установлено, что это состояние возникает из возбужденного состояния 4Γ⁺₈ с энергией связи 1.3 мэВ (в отсутствие деформации), а не из основного состояния. Представленные в работе результаты могут быть полезны при изучении условий генерации дальнего ИК-излучения в деформированном p-Ge, связанной с оптическими переходами между резонансными и локализованными акцепторными состояниями.