К ТЕОРИИ КОГЕРЕНТНОГО РЕЗОНАНСНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ ЭЛЕКТРОНОВ
Елесин В.Ф.

Received: December 5, 2000

PACS: 85.30.Mn, 85.30.Vw, 87.56.By

DJVU (62.1K)

PDF (209.2K)

В рамках модели когерентного туннелирования взаимодействующих электронов найдены аналитические решения уравнения Шредингера для двухбарьерной структуры (резонансно-туннельного диода) с открытыми граничными условиями. Получены простые выражения для резонансного тока, позволяющие провести анализ вольт-амперной характеристики, условий появления гистерезиса и его особенностей в зависимости от параметров резонансно-туннельного диода. Показано, что гистерезис реализуется, если ток превышает некоторое критическое значение, пропорциональное квадрату ширины резонансного уровня.