ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА Cs/GaAs(100) И ФОРМИРОВАНИЕ МЕТАСТАБИЛЬНЫХ Cs-КЛАСТЕРОВ
Бенеманская Г.В., Дайнека Д.В., Франк-Каменецкая Г.Э.

Received: June 30, 2000

PACS: 73.20.-r, 79.60.Dp

DJVU (104.1K)

PDF (388.7K)

Методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии исследованы электронные свойства ультратонкой границы раздела Cs/GaAs(100), обогащенной галлием. Перестройка спектра поверхностной фотоэмиссии как функция Cs-покрытия, а также зависимость спектра от температуры позволяют выделить две фазы адсорбции с сильной (Cs-Ga) и слабой (Cs-Cs) связями. В первой фазе адсорбции при покрытии примерно 0.3 монослоя обнаружены две поверхностные зоны, обусловленные локальным взаимодействием адатомов цезия с димерами галлия. Определено, что переход от первой фазы адсорбции ко второй происходит при Cs-покрытии примерно 0.7 монослоя, соответствующем насыщению всех оборванных связей галлия на поверхности GaAs(100), обогащенной галлием. Во второй фазе адсорбции при покрытии большем 0.7 монослоя в спектрах обнаружен ряд дополнительных фотоэмиссионных особенностей, появление которых связывается с формированием метастабильных Cs-образований. Фотоэмиссионные пики при 1.9 и 2.17 эВ могут быть связаны с возбуждением квазидвумерных и/или квазитрехмерных Cs-кластеров, а пики при 2.05, 2.4 и 2.78 эВ - с возбуждением соответственно интерфейсного плазмона, поверхностного и объемного Cs-плазмонов.