АТОМНЫЕ СТРУКТУРЫ ДВУМЕРНЫХ НАПРЯЖЕННЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ InAs НА ПОВЕРХНОСТИ GaAs(001): in situ НАБЛЮДЕНИЕ РОСТА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
Бахтизин Р.З., Хасегава Ю., Щуе К.-К., Сакурай Т.

Received: July 22, 1999

PACS: 61.16.-d, 61.14.Hg, 68.55.-a

Методами сканирующей туннельной микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение в условиях сверхвысокого вакуума in situ изучались атомные структуры на поверхности гетероструктуры InAs/GaAs, выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено, что нанесение примерно 0.3 монослоя индия на обогащенную мышьяком поверхность GaAs(001)- приводит к образованию фазы , а нанесение примерно 0.6 монослоя индия - к появлению новой реконструкции . Показано, что послойный двумерный эпитаксиальный рост InAs на GaAs(001) вплоть до тринадцати монослоев возможен только в том случае, если фронт роста воспроизводит симметрию или подложки, и предложены модели реконструкций и . Впервые получены изображения с атомным разрешением фасетированных плоскостей на поверхности трехмерных островков в системе InAs/GaAs(001) и разработаны их структурные модели.