РАСЧЕТ ВЕРОЯТНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В.

Received: May 26, 2000

PACS: 33.60.-q

Предлагается алгоритм расчета спектров сечения фотоионизации носителей на глубоких центрах в электрических полях, опирающийся на формфункцию оптического перехода. Эксперимент и расчеты выполнены для комплекса V_Ga-S_As в арсениде галлия. Проведено сопоставление предлагаемой модели с теоретическими работами, основанными на однокоординатном приближении. Сделан вывод о применимости однокоординатной модели для описания полевой зависимости сечения фотоионизации электрона на центре V_Ga-S_As. Получены данные о влиянии внешнего электрического поля на изменения моментов формфункции полосы поглощения комплекса V_Ga-S_As в арсениде галлия. Сделан вывод о влиянии электрического поля на адиабатические потенциалы исследуемого центра.