Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 118, No. 2, p. 455 (August 2000)
(English translation - JETP, Vol. 91, No. 2, p. 399, August 2000 available online at www.springer.com )

ПРИРОДА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО КОЛОССАЛЬНОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК La0.35Nd0.35Sr0.3MnO 3
Абрамович А.И., Королева Л.И., Мичурин А.В., Шимчак Р., Деев С.

Received: February 16, 2000

PACS: 75.50.Pp, 72.15.Gd, 72.20.My

Обнаружено колоссальное отрицательное магнитосопротивление (примерно 12%) в поле 8.4 кЭ в широкой области температур ниже точки Кюри T_C\approx 240 К в монокристаллической пленке La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3 на подложке из монокристаллической пластины (001)ZrO2(Y2O3). На изотермах магнитосопротивления этой пленки наблюдается возрастание с полем его абсолютной величины: резкое в области технического намагничивания и в бóльших полях - почти линейное. У трех монокристаллических пленок такого же состава на подложках из (001)SrTiO3, (001)LaAlO3 и (001)MgO колоссальное магнитосопротивление имело место только в районе T_C\approx 240 К, а при TC оно слабо, почти линейно, возрастало с полем. В пленке на подложке из ZrO2(Y2O3) величина удельного электросопротивления примерно на 1.5 порядка выше, чем в трех других пленках. Показано, что это повышение обусловлено электросопротивлением границ между микрообластями с четырьмя типами кристаллографических ориентаций, а магнитосопротивление в области до технического насыщения намагниченности связано с туннелированием поляризованных носителей заряда через те границы, которые совпадают с доменными стенками (в трех других пленках имеется один тип кристаллографической ориентации). Обнаруженный у всех четырех пленок пониженный магнитный момент, составляющий всего 46% от чисто спинового значения, объяснен существованием магнитно-разупорядоченных микрообластей, причиной которых является большая толщина доменных границ, которая больше размера кристаллографических микрообластей и одного порядка с толщиной пленок. Колоссальное магнитосопротивление в районе TC и низкотемпературное магнитосопротивление в полях, превышающих поле технического насыщения, объяснены существованием в них сильного s-d-обмена, из-за которого происходит резкое уменьшение подвижности носителей тока (дырок) и их частичная локализация на уровнях вблизи верха валентной зоны. Под действием магнитного поля подвижность носителей заряда увеличивается и происходит их делокализация из указанных выше уровней.

 
Report problems