ZhETF, Vol. 117,
No. 2,
p. 452 (February 2000)
(English translation - JETP,
Vol. 90, No. 2,
p. 400,
February 2000
available online at www.springer.com
)
ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ В КОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Каган В.Д.
Received: September 6, 1999
PACS: 72.20.-i, 72.30.+q
В полупроводниках высокочастотная проводимость обусловлена переполяризацией коллективных состояний примесной пары атомов, находящихся под действием хаотических электричеcких полей всех примесей. Кулоновская корреляция, значительно увеличивающая проводимость, возникает благодаря статистическому распределению частиц по четырем уровням двухатомной системы. Релаксационное поглощение и диэлектрическая проницаемость системы всех пар рассчитаны с учетом этой статистики.
|
|
Golden Pages
DJVU (51.3K)
PDF (186.3K)