ZhETF, Vol. 117,
No. 1,
p. 243 (January 2000)
(English translation - JETP,
Vol. 90, No. 1,
p. 217,
January 2000
available online at www.springer.com
)
ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННУЮ ИОНИЗАЦИЮ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ СУБМИЛЛИМЕТРОВЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
Москаленко А.С., Перель В.И., Яссиевич И.Н.
Received: July 7, 1999
PACS: 78.70Gq, 72.20Jv
В квазиклассическом приближении вычислена вероятность туннелирования электрона из связанного состояния в свободное в скрещенных переменном электрическом и постоянном магнитном полях. Показано, что магнитное поле уменьшает вероятность туннелирования электрона. Это приводит к уменьшению вероятности термоактивированной ионизации глубоких примесных центров субмиллиметровым излучением. Логарифм вероятности ионизации линейно зависит от квадрата амплитуды электрического поля и резко возрастает с увеличением частоты электрического поля.
|
|
Golden Pages
DJVU (66.9K)
PDF (269.8K)