Механизм межзонной оже-рекомбинации в InGaN/GaN квантовых ямах в присутствии встроенного пьезоэлектрического поля
Самосват Д.М., Гришунов В.В., Зегря Г.Г.

Received: March 11, 2025

DOI: 10.31857/S0044451025090019

PDF (467.4K)

Анализируется влияние встроенного пьезоэлектрического поля на механизм оже-рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaN. Приводятся аналитические выражения для коэффициентов беспорогового и квазипорогового каналов оже-рекомбинации. Показано, что с ростом пьезоэлектрического поля E_f коэффициенты оже-рекомбинации убывают, что связано с общим уменьшением интегралов перекрытия между состояниями валентной зоны и зоны проводимости.