Скорость передачи энергии от элементарных возбуждений фононам в сильно легированном бором сверхпроводящем алмазе
Кукушкин В.А., Кукушкин Ю.В.

Поступила в редакцию: 11 Декабря 2024

DOI: 10.31857/S0044451025050098

PDF (320.7K)

Найдена скорость передачи энергии от элементарных возбуждений фононам (т.е. кристаллической решетке) в сильно легированном бором сверхпроводящем алмазе. Вычисления проведены с помощью методов квантовой теории поля при ненулевых температурах с использованием температурных функций Грина и техники Мацубары. В результате показано, что эта скорость ограничивает допустимую амплитуду переменных электрических полей в сверхпроводящем алмазе величинами порядка 10 В/см, при превышении которых произойдет разогрев элементарных возбуждений до температур выше критической, т.е. разрушение сверхпроводящего состояния.