Влияние кулоновского взаимодействия на межзонный фотогальванический эффект в полупроводниках
Будкин Г.В., Ивченко Е.Л.

Поступила в редакцию: 6 Сентября 2024

DOI: 10.31857/S0044451025020130

PDF (322K)

В рамках одной модели зонной структуры нецентросимметричного полупроводника рассчитаны баллистический и сдвиговый вклады в межзонный линейный фотогальванический эффект. В расчете использован двухзонный обобщенный дираковский эффективный гамильтониан с недиагональными компонентами, содержащими слагаемые первого и второго порядков по волновому вектору. Развитая теория учитывает кулоновское взаимодействие между фотовозбужденными электроном и дыркой. Показано, что в типичных полупроводниках баллистический фототок j^(bal) существенно превышает сдвиговый ток j^(sh): отношение j^(sh)/j^(bal) имеет порядок , где a_B - боровский радиус, - длина свободного пробега фотоносителей, обусловленная их рассеянием по квазиимпульсу.