ЖЭТФ, Том 163,
Вып. 3,
стр. 392 (Март 2023)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 136, No 3,
p. 345,
March 2023
доступен on-line на www.springer.com
)
Механизм поперечного транспорта заряда в тонких пленках гексагонального нитрида бора
Исламов Д.Р., ПеРевалов Т.В., Гисматулин А.А., АзаРов И.А., Спесивцев Е.В., ГРиценко В.А.
Поступила в редакцию: 1 Июля 2022
DOI: 10.31857/S0044451023030112
Изучен механизм поперечного транспорта заряда через многослойный гексагональный нитрид бора (h-BN) в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Экспериментальные данные по транспорту проанализированы в рамках различных моделей переноса заряда в диэлектриках. Показано, что транспорт заряда через h-BN описывается моделью фонон-облегченного туннелирования между нейтральными ловушками. Определены значения термической и оптической энергий фонон-связанных ловушек в h-BN. Из анализа транспортных измерений, рентгеновских фотоэлектронных спектров и электронной структуры собственных дефектов в h-BN, рассчитанной методом ab initio, установлено, что наиболее вероятным дефектом, ответственным за транспорт заряда в h-BN, является дивакансия бор-азот. При этом транспорт заряда осуществляется электронами.
|
|