Механизм поперечного транспорта заряда в тонких пленках гексагонального нитрида бора
Исламов Д.Р., ПеРевалов Т.В., Гисматулин А.А., АзаРов И.А., Спесивцев Е.В., ГРиценко В.А.

Поступила в редакцию: 1 Июля 2022

DOI: 10.31857/S0044451023030112

PDF (684.4K)

Изучен механизм поперечного транспорта заряда через многослойный гексагональный нитрид бора (h-BN) в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Экспериментальные данные по транспорту проанализированы в рамках различных моделей переноса заряда в диэлектриках. Показано, что транспорт заряда через h-BN описывается моделью фонон-облегченного туннелирования между нейтральными ловушками. Определены значения термической и оптической энергий фонон-связанных ловушек в h-BN. Из анализа транспортных измерений, рентгеновских фотоэлектронных спектров и электронной структуры собственных дефектов в h-BN, рассчитанной методом ab initio, установлено, что наиболее вероятным дефектом, ответственным за транспорт заряда в h-BN, является дивакансия бор-азот. При этом транспорт заряда осуществляется электронами.