Исследование особенностей когерентного магнитотранспорта в нанопроволоках InN в присутствии сканирующего затвора
Жуков А.А., Volk Ch., Schapers Th.

Поступила в редакцию: 29 Июня 2021

DOI: 10.31857/S0044451022010102

PDF (2865.3K)

Проведены измерения магнитотранспорта в нанопроволоках InN в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа при температуре T=4.2 K. В нанопроволоках высокого качества визуализированы потенциальные барьеры на интерфейсах металл-нанопроволока. В нанопроволоке более низкого качества применение техники измерения сопротивления в присутствии сканирующего затвора позволило визуализировать неоднородности образца с пространственным разрешением порядка 200 нм. Подробно исследовано влияние приложенного магнитного поля на результат визуализации потенциальных барьеров. В нанопроволоках InN высокого качества были обнаружены осцилляции магнитосопротивления, исследована устойчивость данных осцилляций по отношению к локальному и нелокальному изменениям концентрации носителей. Исследуется и обсуждается влияние внешнего магнитного поля и концентрации носителей на результат визуализации резонансных рассеивателей.