Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 160, Вып. 3, стр. 393 (Сентябрь 2021)
(Английский перевод - JETP, Vol. 133, No 3, p. 332, September 2021 доступен on-line на www.springer.com )

Влияние флуктуационного разупорядочения решетки на термостимулированный перенос энергии электронных возбуждений
Огородников И.Н.

Поступила в редакцию: 25 Января 2021

DOI: 10.31857/S0044451021090054

PDF (300.3K)

Приведены результаты экспериментального изучения и численного моделирования термостимулированных процессов переноса энергии электронных возбуждений в условиях протекания флуктуационного разупорядочения решетки. Сформулированная модель основана на рассмотрении потока кинетических частиц из возбужденных состояний в основное состояние через потенциальный барьер, параметры которого подвержены влиянию флуктуационного разупорядочения решетки. В рамках развиваемой модели получены соотношения, связывающие параметры термостимулированного процесса переноса энергии электронных возбуждений (средняя высота потенциального барьера \overline {E}, экспериментально наблюдаемая средняя энергия активации \langle E\rangle термостимулированного процесса и условие экстремума потока кинетических частиц) c параметрами процесса разупорядочения решетки. Численными расчетами для различных значений параметров флуктуационного разупорядочения получены зависимости температурного положения и амплитуды максимума потока. Детально рассмотрены два предельных случая влияния процесса разупорядочения на локальное окружение центров захвата, приводящего к уменьшению и увеличению высоты потенциального барьера центров захвата, участвующих в процессе возбуждения рекомбинационной люминесценции. Представлены экспериментальные результаты исследования термостимулированной люминесценции в режиме линейно-осциллирующего нагрева, полученные при T=80-273 K для нелегированных монокристаллов трибората лития LiB3O5 (LBO). Обнаружены появление так называемых спонтанных сцинтилляций (T<180 K) и аномальный рост \langle E\rangle (T=100-140 K). Наблюдаемые особенности объяснены влиянием термостимулированного ионного процесса в литиевой подрешетке LBO, приводящего к флуктуационной перестройке локального окружения центров захвата B2+, результатом которой является уменьшение высоты потенциального барьера данных центров примерно на 20%.

 
Сообщить о технических проблемах