Элементарный излучатель на границе плоскослоистой структуры
Петрин А.Б.

Поступила в редакцию: 13 Июля 2020

DOI: 10.31857/S004445102101003X

PDF (484.9K)

Рассмотрена строгая теория излучения элементарного диполя, расположенного на границе или внутри плоскослоистой структуры. Для частного случая излучения диполя, расположенного на свободной границе одной пленки, продемонстрирован метод аналитического упрощения решения. Предложенный метод позволил привести выражения для излучаемых полей к одномерным интегралам, что существенно упростило анализ задачи и ускорило численные расчеты. В качестве конкретного технического приложения теории были получены диаграммы направленности точечных излучателей (молекул, наноструктур), расположенных на свободной поверхности металлической пленки в схеме Кречмана и имеющих индуцированный дипольный момент, направленный перпендикулярно поверхности пленки. Обсуждается влияние поверхностной волны на направленные свойства поверхностных излучателей.