Атомная и электронная структура пленок SiO_x, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса
Перевалов Т.В., Исхакзай Р.М.Х., Алиев В.Ш., Гриценко В.А., Просвирин И.П.

Поступила в редакцию: 7 Мая 2020

DOI: 10.31857/S004445102012007X

PDF (320K)

Исследуются тонкие пленки оксида кремния, полученные обработкой термического SiO₂ в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса при различных временах экспозиции. С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что такая обработка приводит к существенному обеднению термического SiO₂ кислородом, тем большему, чем больше время обработки. Атомная структура полученных таким образом пленок SiO_x<2 описывается моделью случайных связей. Наличие вакансий кислорода в обработанных в плазме пленках подтверждается сопоставлением экспериментальных и рассчитанных из первых принципов фотоэлектронных спектров валентной зоны, позволяющим оценить значение параметра x. Показано, что обработанные в водородной плазме пленки термического оксида кремния могут успешно использоваться в качестве запоминающей среды ячейки энергонезависимой резистивной памяти.