Об особенностях локализации света в холестерических жидких кристаллах
Геворгян А.А., Голик С.С., Геворгян Т.А.

Поступила в редакцию: 1 Августа 2019

DOI: 10.31857/S0044451020080143

PDF (446K)

Исследованы особенности локализации света в слое холестерического жидкого кристалла (ХЖК) при нормальном падении света. Показано сильное влияние диэлектрических границ на локализацию. При минимальном влиянии диэлектрических границ, т.е. при , суммарное поле для собственных мод в слое ХЖК меняется плавно при смещении вдоль оси z, направленной вдоль оси среды (здесь - средняя диэлектрическая проницаемость слоя ХЖК, а n_s - коэффициент преломления внешней среды). При отличии n_s от или при отличии поляризации падающего света от поляризации собственных мод появляются осцилляции в зависимости энергии суммарной волны в слое ХЖК от z. Показано, что количество накопленной энергии в слое ХЖК зависит от величины n_s и полная накопленная энергия в слое ХЖК монотонно увеличивается с ростом n_s.