Сравнительное исследование двумерных плазменных возбуждений в гетероструктурах ZnO/MgZnO, AlAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
Хисамеева А.Р., Шепетильникова А.В., Муравьева В.М., Нефедов Ю.А., Кукушкин И.В.

Поступила в редакцию: 27 Июня 2019

DOI: 10.31857/S0044451020040148

PDF (318.7K)

Проведено сравнительное исследование плазменных колебаний в новых перспективных двумерных электронных системах (ДЭС) на базе гетероструктур ZnO/MgZnO, AlAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs. Методом микроволновой плазменной спектроскопии найдены величины времен релаксации и эффективных масс для образцов с различными электронными плотностями в исследуемых ДЭС. Установлены особенности плазменных колебаний в квантовых ямах AlAs/AlGaAs, обусловленные заполнением электронами нескольких долин. Также продемонстрирована возможность перестройки спектра плазмонов за счет изменения концентрации электронов в долинах.