Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 157, Вып. 4, стр. 579 (Апрель 2020)
(Английский перевод - JETP, Vol. 130, No 4, p. 483, April 2020 доступен on-line на www.springer.com )

Резонансный захват электронов ионами в ридберговские состояния атомов
Лебедев В.С., Кислов К.С., Нариц А.А.

Поступила в редакцию: 14 Августа 2019

DOI: 10.31857/S004445102004001X

PDF (433.1K)

Исследованы резонансные механизмы электрон-ионной рекомбинации с образованием атомов в ридберговских состояниях в плазме, содержащей атомарные и молекулярные ионы. Разработан аналитический подход к описанию процесса трехчастичного захвата электрона в ридберговское состояние в результате резонансной передачи энергии от свободного электрона электронной оболочке квазимолекулярного иона, образующегося в ходе столкновения атомарного иона с атомом буферного газа. Предложен эффективный способ расчета констант скоростей диссоциативной рекомбинации в условиях теплового возбуждения всех колебательно-вращательных уровней молекулярного иона. Установлены зависимости сечений и констант скоростей исследуемых процессов от главного квантового числа и выяснена их относительная роль в широком диапазоне температур электронов, Te, и газовой компоненты, T, плазмы. Определены условия доминирования интегральных вкладов непрерывного спектра молекулы и всего колебательно-вращательного квазиконтинуума в полную скорость резонансного захвата электрона. Конкретный анализ проведен на примере гетероядерных систем Ne+Xe++e и Ar+Xe++e с существенно различными энергиями диссоциации (D0=33 и 171 мэВ) основного электронного терма иона RgXe+ (Rg = Ne и Ar). Показано, что величины констант скоростей захвата существенно зависят от энергии связи |\varepsilon _n| образующегося атома Xe(n), температур T и Te и от соотношения величины D0 и тепловой энергии kBT.

 
Сообщить о технических проблемах