Переход полупроводник-металл в магнитных полупроводниковых соединениях при высоком давлении
Арсланов Р.К., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В., Желудкевич А.Л.

Поступила в редакцию: 23 Марта 2018

DOI: 10.31857/S0044451020010137

PDF (448.3K)

В нанокомпозитных ферромагнитных соединениях Zn_0.1Cd_0.9GeAs₂+10%MnAs и Zn_0.1Cd_0.9GeAs₂+15%MnAs с температурой Кюри -312 K исследованы магнитные, транспортные и магнитотранспортные параметры при высоком давлении до 7 ГПа и комнатной температуре. Поведения магнитных и электронных свойств под давлением указывают на наличие магнитного превращения и перехода полупроводник-металл, наступающих при одном и том же давлении ГПа. В диапазоне магнитных полей до H=5 кЭ в обоих составах наблюдалось индуцированное высоким давлением магнитосопротивление. Из анализа экспериментальных данных следует, что магнитосопротивление в области перехода полупроводник-металл может описываться стандартной p-d-моделью, учитывающей обменное взаимодействие спинов носителей тока и магнитного момента, локализованного на примесях Mn. В этой области обнаружено гигантское магнитосопротивление, достигающее максимальной величины по сравнению с магнитосопротивлением при атмосферном давлении (Δ ρ _xx/ρ ₀<1%) для состава с 15% кластеров MnAs. Основная причина возникновения усиленного магнитосопротивления, а также магнитных и электронных фазовых превращений связывается со структурным преобразованием матрицы под давлением.