Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 156, Вып. 3, стр. 521 (Сентябрь 2019)
(Английский перевод - JETP, Vol. 129, No 3, p. 438, September 2019 доступен on-line на www.springer.com )

Температурно-зависимое магнитосопротивление однослойного графена
Васильева Г.Ю., Алексеев П.С., Васильев Ю.Б., Дмитриев А.П., Качоровский В.Ю., Смирнов Д., Шмидт Х., Хауг Р.

Поступила в редакцию: 26 Марта 2019

DOI: 10.1134/S0044451019090153

PDF (279.2K)

Выполнены измерения магнитосопротивления образцов однослойного графена с различными типами рассеивающих примесей в широком интервале температур и магнитных полей. Показано, что в образцах с короткодействующим беспорядком магнитосопротивление пропорционально квадратному корню из величины магнитного поля, за исключением случаев сравнительно низких концентраций, когда оно является линейным. Проанализирована корневая зависимость величины магнитосопротивления от температуры и получено хорошее согласие с теоретическими расчетами. Эти результаты свидетельствуют о том, что наличие корневого магнитосопротивления в малых магнитных полях можно рассматривать как характерную особенность однослойного графена с короткодействующим беспорядком.

 
Сообщить о технических проблемах