ЖЭТФ, Том 153,
Вып. 2,
стр. 251 (Февраль 2018)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 126, No 2,
p. 210,
February 2018
доступен on-line на www.springer.com
)
Спин-зависимая электронная динамика в гибридной нерезонансной гетероструктуре А3В5/А2В6
Кайбышев В.Х., Торопов А.А., Сорокин С.В., Седова И.В., Климко Г.В., Терентьев Я.В., Иванов С.В.
Поступила в редакцию: 15 Сентября 2017
DOI: 10.7868/S0044451018020074
Представлено экспериментальное исследование процессов электронной спиновой динамики в гибридной нерезонансной гетероструктуре, включающей слой разбавленного магнитного полупроводника А2MnВ6 и асимметричную квантовую яму (КЯ) немагнитного полупроводника А3В5. Нерезонансность структуры определялась тем, что уровень основного электронного состояния магнитного слоя приходится на область энергий возбужденных состояний немагнитной КЯ. Обнаружено, что поляризация электронов в основном термализованном состоянии КЯ не подвержена влиянию магнитной части структуры. Однако магнитная часть влияет на поляризацию электронов в возбужденном состоянии посредством процессов спиновой инжекции из магнитного полупроводника и замешивания электронных состояний магнитной и немагнитной подсистем структуры. Возможность управления поляризацией электронного спина через возбуждение носителей в область замешанных состояний наряду с отсутствием деполяризующего влияния магнитного полупроводника на носители в термализованном состоянии КЯ может быть использована при построении новых спинтронных приборов наряду с теми, которые используют процессы спиновой инжекции, оптической ориентации и деполяризации.
|
|