ЖЭТФ, Том 151,
Вып. 5,
стр. 870 (Май 2017)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 124, No 5,
p. 740,
May 2017
доступен on-line на www.springer.com
)
Перенос заряда и энергии в двойных асимметричных квантовых ямах с квантовыми точками
Будкин Г.В., Еременко М.В., Резницкий А.Н.
Поступила в редакцию: 27 Июля 2016
DOI: 10.7868/S004445101705008X
Исследованы спектры фотолюминесценции и возбуждения люминесценции квантовых точек CdSe/ZnSe в наборе двойных квантовых ям с шириной барьера ZnSe 14 нм, одинаковым количеством осажденного слоя CdSe, формирующего глубокую яму, и разной глубиной мелкой ямы. Обнаружено, что при некотором соотношении глубин мелкой и глубокой ям в исследованном наборе реализуются условия, при которых экситонный канал в спектре возбуждения фотолюминесценции мелкой ямы доминирует в интервале кинетических энергий экситонов, превышающем 10 продольных оптических фононов над дном экситонной зоны барьера ZnSe. Развита модель переноса электронов, дырок и экситонов между электронными состояниями мелкой и глубокой квантовых ям, разделенных достаточно широкими барьерами. Показано, что наибольшей вероятностью переноса электронного возбуждения между состояниями мелкой и глубокой квантовых ям обладает процесс непрямого туннелирования с одновременным возбуждением в решетке продольного оптического фонона. Поскольку вероятность этого процесса для одиночных носителей заряда существенно превышает вероятность туннелирования экситонов, можно реализовать систему двойных квантовых ям, в которой при достаточно слабом возбуждении основным каналом заселения состояний квантовых точек мелкой квантовой ямы оказываются экситоны, что и объясняет полученные экспериментальные результаты.
|
|