ЖЭТФ, Том 150,
Вып. 4,
стр. 738 (Октябрь 2016)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 123, No 4,
p. 638,
October 2016
доступен on-line на www.springer.com
)
Исследование электронной структуры и оптических свойств соединений HoCoSi и ErNiSi
Князев Ю.В., Лукоянов А.В., Кузьмин Ю.Н., Gupta S., Suresh K.G.
Поступила в редакцию: 3 Февраля 2016
DOI: 10.7868/S0044451016100114
Представлены результаты исследований электронной структуры и оптических свойств соединений HoCoSi и ErNiSi. В приближении локальной электронной плотности с поправкой на сильные электронные взаимодействия в 4f-оболочке редкоземельного иона (метод LSDA+U [e16164-11]) проведены спин-поляризованные расчеты зонного спектра. В широком интервале длин волн эллипсометрическим методом измерены оптические постоянные, определены частотные зависимости ряда спектральных параметров. На основе рассчитанных плотностей электронных состояний интерпретированы структурные особенности межзонных оптических проводимостей данных интерметаллидов.
|
|