ЖЭТФ, Том 149,
Вып. 5,
стр. 949 (Май 2016)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 122, No 5,
p. 818,
May 2016
доступен on-line на www.springer.com
)
Вклад поворотов и сужений сверхпроводящей пленки в процесс детектирования однофотонным сверхпроводящим детектором
Зотова А.Н.
Поступила в редакцию: 9 Ноября 2015
DOI: 10.7868/S0044451016050047
Исследуется вклад поворотов и сужений сверхпроводящей пленки в процесс детектирования однофотонным сверхпроводящим детектором. Показано, что для пленки с сужением при токах, меньших минимального тока детектирования прямой пленки, эффективность детектирования при увеличении тока достигает насыщения, что качественно совпадает с поведением этой зависимости, наблюдаемым в эксперименте. Также получено, что тогда как для фотонов малых энергий влияние поворотов пленки и внешнего магнитного поля на эффективность детектирования существенно, для фотонов больших энергий такое влияние не наблюдается.
|
|