АНИЗОТРОПНЫЙ СПИН-ОРБИТАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ ШТАРКА В КУБИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ БЕЗ ЦЕНТРА ИНВЕРСИИ
Алексеев П.С.

Поступила в редакцию: 16 Марта 2015

DOI: 10.7868/S0044451015090138

DJVU (126.5K)

PDF (312.3K)

Изучается влияние внешних электрического и магнитного полей на уровни мелкого донора в полупроводнике кристаллического класса T_d. Приложение электрического поля приводит к исчезновению симметрии потенциала донора относительно пространственной инверсии, в результате чего у донорных уровней возникают поправки от нечетного по импульсу спин-орбитального слагаемого Дрессельхауза. В достаточно сильном электрическом поле такие поправки будут определять анизотропию спинового расщепления уровней донора относительно направлений внешних полей в кристаллографической системе координат. Найдены аналитические выражения для анизотропии спинового расщепления при различных соотношениях между величинами магнитного и электрического полей. Полученные результаты могут быть использованы для определения константы спин-орбитального взаимодействия Дрессельхауза новым способом: в экспериментах по измерению спинового расщепления уровней донора.