Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 144, Вып. 5, стр. 1086 (Ноябрь 2013)
(Английский перевод - JETP, Vol. 117, No 5, p. 950, November 2013 доступен on-line на www.springer.com )

РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Елесин В.Ф.

Поступила в редакцию: 19 Мая 2013

DOI: 10.7868/S0044451013110199

DJVU (154K) PDF (288K)

В рамках когерентной модели туннелирования, включающей систему уравнений Шредингера и Пуассона с открытыми граничными условиями, решена задача о влиянии межэлектронного взаимодействия на статические и динамические свойства двухбарьерной наноструктуры (резонансно-туннельного диода - РТД). В квазиклассическом приближении получены явные аналитические выражения для постоянного и переменных потенциалов и приведенных токов (активных и реактивных) в широком интервале частот. Они позволяют провести анализ частотных характеристик РТД. Показано, что учет взаимодействия может радикально менять вид этих зависимостей, особенно при наличии гистерезиса ВАХ. В этом случае активный ток и переменные потенциалы могут резко увеличиваться как на низких, так и на высоких частотах. Для этого необходимо выполнение условий квантового режима и выбор соответствующей рабочей точки на ВАХ РТД. Предсказывается возможность возникновения специфических плазменных колебаний, улучшающих высокочастотные характеристики РТД. Показано, что активный ток может достигать величины, сравнимой со значением резонансного постоянного тока РТД.

 
Сообщить о технических проблемах