СПЕКТРЫ ПРОПУСКАНИЯ И ОТРАЖЕНИЯ ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С РАМАНОВСКИМ ДЕФЕКТОМ
Архипкин В.Г., Мысливец С.А.

Поступила в редакцию: 15 Марта 2010

DJVU (137.6K)

PDF (333.8K)

Теоретически исследованы особенности комбинационного (рамановского) усиления пробного излучения в трехуровневых атомах, помещенных в дефект одномерного фотонного кристалла, в присутствии лазерного излучения (накачки) на высокочастотном смежном переходе. Показано, что существует область интенсивностей излучения накачки, в которой в спектре пропускания и отражения пробного поля одновременно возникают узкие пики (резонансы). Вне этой области пик в пропускании превращается в узкий провал. Спектральное положение этих пиков определяется комбинационным резонансом, а коэффициенты пропускания и отражения могут быть больше единицы при интенсивности излучения накачки от единиц мкВт/см² до десятков мВт/см². Природа узких пиков обусловлена резкой дисперсией нелинейного показателя преломления вблизи комбинационного резонанса, которая приводит к значительному уменьшению групповой скорости пробного излучения. Предложенная схема позволяет получать управляемые сверхузкие резонансы в спектрах пропускания и отражения фотонного кристалла.