Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 137, Вып. 4, стр. 695 (Апрель 2010)
(Английский перевод - JETP, Vol. 110, No 4, p. 613, April 2010 доступен on-line на www.springer.com )

TUNNELING CONDUCTANCE OF THE GRAPHENE SNS JUNCTION WITH A SINGLE LOCALIZED DEFECT
Bolmatov D., Chung-ty Mou

Поступила в редакцию: 21 Июля 2009

DJVU (66.6K) PDF (222.1K)

Using the Dirac-Bogoliubov-de Gennes equation, we study the electron transport in a graphene-based superconductor-normal(graphene)-superconductor (SNS) junction. We consider the properties of tunneling conductance through an undoped strip of graphene with heavily doped superconducting electrodes in the dirty limit l_{def}\ll L \ll\xi. We find that the spectrum of Andreev bound states is modified in the presence of a single localized defect in the bulk. The minimum tunneling conductance remains the same, and this result is independent of the actual location of the imperfection.

 
Сообщить о технических проблемах