ЖЭТФ, Том 132,
Вып. 1,
стр. 197 (Июль 2007)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 105, No 1,
p. 174,
July 2007
доступен on-line на www.springer.com
)
ВЛИЯНИЕ ГИБРИДИЗАЦИИ СОСТОЯНИЙ НА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В НЕГЛУБОКИХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ
Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г.
Поступила в редакцию: 25 Октября 2006
PACS: 73.21.-b, 73.21.Fg, 73.43.Qt, 73.63.Hs, 78.67.De
Исследован латеральный электронный транспорт при низких температурах в неглубоких псевдоморфных двусторонне дельта-легированных квантовых ямах GaAs/In0.12Ga0.88As/GaAs в зависимости от ширины, уровня легирования и наличия тонкого центрального барьера AlAs. Показано, что такой барьер изменяет зонную структуру и волновые функции электронов в квантовых ямах, что приводит к существенному изменению рассеяния электронов и изменению подвижности.
|
|
Золотые страницы
DJVU (46.8K)
PDF (230.8K)