Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 129, Вып. 5, стр. 926 (Май 2006)
(Английский перевод - JETP, Vol. 102, No 5, p. 810, May 2006 доступен on-line на www.springer.com )

ИНЖЕКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-ОКСИД-НИТРИД-ОКСИД-КРЕМНИЙ
Насыров К.А., Шаймеев С.С., Гриценко В.А., Хан Ж.Х., Ким С.В., Ли Ж.В.

Поступила в редакцию: 1 Июня 2005

PACS: 73.61.Ng, 73.50.Fg, 61.43.-j, 71.23.An

DJVU (156.7K) PDF (450.6K)

Изучена кинетика накопления электронов и дырок в структурах металл-оксид-нитрид-оксид-полупроводник. Экспериментальные данные сопоставлены с теоретической моделью, учитывающей туннельную инжекцию, захват электронов и дырок на ловушках в аморфном нитриде кремния SiNx и ионизацию ловушек. Cогласие эксперимента и расчета получено для ширины запрещенной зоны Eg=8.0 эВ аморфного SiO2, что соответствует величине барьера для дырок Φh=3.8 эВ на границе Si/SiO2. Оценены величины туннельной эффективной массы m^*_h\approx (0.4-0.5)m0 для дырок в SiO2 и в SiNx. В рамках модели фонон-связанной ловушки определены параметры электронных и дырочных ловушек в SiNx: оптическая энергия Wopt=2.6 эВ, термическая энергия WT=1.3 эВ.

 
Сообщить о технических проблемах