МЕХАНИЗМЫ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПРОВОДИМОСТИ В СИСТЕМАХ С ПЛОТНЫМ МАССИВОМ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК Ge_0.7Si_0.3 В КРЕМНИИ
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Гальперин Ю.М., Якимов А.И., Никифоров А.И.

Поступила в редакцию: 3 Июня 2005

PACS: 73.21.La, 73.63.Kv, 73.50.Rb, 72.20.Ee

DJVU (132.5K)

PDF (560.9K)

Высокочастотная (ВЧ) проводимость в системах c плотным массивом самоорганизующихся квантовых точек Ge_0.7Si_0.3 с плотностью n=3• 10¹¹см^-2 в кремнии с разной концентрацией бора n_B определена акустическими методами. Измерения коэффициента поглощения и скорости поверхностных акустических волн (ПАВ) с частотой 30-300 МГц, взаимодействующих с дырками, локализованными в квантовых точках, проводились в магнитных полях до 18 Тл в температурном интервале 1-20 К. На примере одного из образцов (n_B=8.2• 10¹¹ см^-2) показано, что при температурах K ВЧ-проводимость осуществляется прыжками дырок между состояниями, локализованными в различных квантовых точках, и может быть объяснена «двухузельной» моделью для случая , где ω - частота ПАВ, τ₀ - время релаксации заселенностей узлов (квантовых точек). При T>7 K ВЧ-проводимость имеет активационный характер, связанный с диффузионной проводимостью по состояниям на пороге подвижности. В области 4 К K насыщается, что свидетельствует о переходе к режиму . Из условия определено значение с.