Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 126, Вып. 6, стр. 1362 (Декабрь 2004)
(Английский перевод - JETP, Vol. 99, No 6, p. 1189, December 2004 доступен on-line на www.springer.com )

ОСОБЕННОСТИ ОТРАЖЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ДИЭЛЕКТРИКАМИ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Кравец А.Ф., Джежеря Ю.И., Кравец В.Г., Климук О.

Поступила в редакцию: 2 Февраля 2004

PACS: 78.20.Ci, 78.20.Ls, 78.30.Am

DJVU (77.7K) PDF (537.2K)

Исследованы изменения в спектрах отражения R(λ) кристаллических диэлектриков Al2O3, LiF и MgO в инфракрасном диапазоне (λ=2.5-25 мкм), вызванные воздействием магнитного поля. Обнаружено, что спектры отражения характеризуются особенностями в окрестностях длин волн, соответствующих возбуждению оптических фононных мод в исследуемых кристаллах, а магнитное поле приводит к заметному изменению величины отражения на этих длинах волн. Для количественного описания влияния магнитного поля на отражение света были исследованы спектры магнитоотражения Δ R/R. На спектрах Δ R/R наблюдаются резкие пики в окрестностях длин волн, при которых исследуемые материалы характеризуются минимальными отражающими способностями. Значения Δ R/R для p-поляризованного инфракрасного излучения в магнитном поле примерно 12 кЭ составили для Al2O3 около 0.5 % на \lambda\approx 9.6 мкм, для LiF приблизительно 7 % на \lambda\approx 11.1 мкм и для MgO примерно 0.07 % на \lambda\approx 11.7 мкм.

 
Сообщить о технических проблемах