ЭКРАНИРОВАНИЕ И ПЕРЕСТРОЙКА ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ДВУХСЛОЙНЫХ СИСТЕМАХ
Кулаковский Д.В., Лозовик Ю.Е.

Поступила в редакцию: 23 Сентября 2002

PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd

DJVU (115.9K)

PDF (360K)

Рассмотрены эффекты экранирования и перестройка экситонных состояний в двухслойных системах. Рассчитаны изменения энергии связи как прямого экситона в результате экранирования пространственно-отделенными электронами, так и пространственно-непрямого экситона. Найдены критические концентрации электронов, при которых эффекты экранирования приводят к скачкообразному уменьшению энергии связи экситона и увеличению его радиуса как функции межслоевого расстояния. Для пространственно-непрямого экситона эта функция имеет максимум, обусловленный конкуренцией двух эффектов с ростом межслоевого расстояния - уменьшением затравочного взаимодействия электрона и дырки и ослаблением эффекта экранирования дырки пространственно-отделенными электронами. Исследован эффект увлечения в двухслойной системе пространственно-разделенных электронов и экситонов с учетом экранирования межслоевого электрон-экситонного взаимодействия в приближении Дебая-Хюккеля.