ЖЭТФ, Том 125,
Вып. 4,
стр. 879 (Апрель 2004)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 98, No 4,
p. 770,
April 2004
доступен on-line на www.springer.com
)
ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕСТРОЙКИ ЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРА ДВУХЪЯМНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaAs/AlGaAs С ПЕРЕМЕННОЙ РАЗМЕРНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ВО ВНЕШНЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Алещенко Ю.А., Жуков А.Е., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Копьев П.С., Устинов В.М.
Поступила в редакцию: 29 Сентября 2003
PACS: 73.21.Cd, 78.55.Cr
Теоретически и экспериментально исследованы особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электрическом поле. Структура является важной составной частью активного элемента квантового униполярного полупроводникового лазера, предложенного нами ранее. Продемонстрирована возможность управления размерностью нижней лазерной подзоны в таком активном элементе внешним электрическим полем.
|
|
Золотые страницы
DJVU (214.6K)
PDF (657.3K)