Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 124, Вып. 4, стр. 886 (Октябрь 2003)
(Английский перевод - JETP, Vol. 97, No 4, p. 794, October 2003 доступен on-line на www.springer.com )

ELECTRON-PHONON INTERACTION AND COUPLED PHONON-PLASMON MODES
Falkovsky L.A.

Поступила в редакцию: 24 Марта 2003

PACS: 63.20.Dj, 63.20.Kr, 71.38.-k, 72.30.+q, 78.30.-j

DJVU (160.9K) PDF (522.3K)

The theory of Raman scattering by the coupled electron-phonon system in metals and heavily doped semiconductors is developed with the Coulomb screening and the electron-phonon deformation interaction taken into account. The Boltzmann equation for carriers is applied. Phonon frequencies and optic coupling constants are renormalized due to interactions with carriers. The k-dependent semiclassical dielectric function is involved instead of the Lindhard-Mermin expression. The results of calculations are presented for various values of the carrier concentration and the electron-phonon coupling constant.

 
Сообщить о технических проблемах