ЖЭТФ, Том 123,
Вып. 3,
стр. 590 (Март 2003)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 96, No 3,
p. 523,
March 2003
доступен on-line на www.springer.com
)
ПОВЕДЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В КРЕМНИИ ПРИ НАЛИЧИИ МЕХАНИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ВОЗМУЩЕНИЙ
Орлов А.М., Скворцов А.А., Соловьев А.А.
Поступила в редакцию: 6 Сентября 2002
PACS: 61.72.-y
Проведена идентификация различных типов дислокационных стопоров и определены их основные параметры. На примере петлевых дислокаций оценено влияние внутренних напряжений на перемещение линейных дефектов в n- и p-Si в поле внешних упругих сил. Установлена активизация дислокационного транспорта после предварительной магнитной обработки кремниевых пластин. В отсутствие внешних механических нагрузок экспериментально зафиксировано смещение дислокационных полупетель (30-50 мкм) в неоднородном поле внутренних напряжений кристалла кремния с царапиной (концентратор напряжений) при изотермическом отжиге при температуре 600-700 в течение 0.5-3 ч. Описание дислокационного транспорта проводилось с учетом собственного (решеточного) потенциального барьера кристалла и двух видов стопоров на базе магниточувствительных точечных дефектов (легирующая примесь) и дислокаций «леса». Предложена кинетическая модель магнитостимулированных изменений подвижности линейных дефектов, связанных с образованием долгоживущих комплексов с участием парамагнитной примеси. Экспериментально зафиксировано двух- и трехкратное увеличение скорости перемещения дислокаций соответственно в n- и p-Si при обработке полупроводника в магнитном поле B=1 Тл в течение 5-45 мин. Обнаружен эффект «магнитной памяти» дислокационного кремния и рассмотрены кинетические аспекты эффекта при естественных условиях хранения образца после отключения магнитного поля. По согласованию эксперимента с теорией рассчитаны парциальные скорости перемещения дислокаций и их времена задержки на различных типах стопоров.
|
|