ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ОТКЛИК ДВУХБАРЬЕРНЫХ НАНОСТРУКТУР
Елесин В.Ф.

Поступила в редакцию: 13 Декабря 2001

PACS: 79.60.Jv, 73.23.-b

DJVU (88.2K)

PDF (248.4K)

В рамках последовательной квантовомеханической модели аналитически вычислен высокочастотный линейный отклик для резонансно-туннельного диода с несимметричными барьерами. Показано, что ток отклика исключительно чувствителен к асимметрии барьеров. Так, если «мощность» барьера коллектора α₁ становится меньше «мощности» эмиттера α₂ (например, из-за напряжения смещения), ток меняет знак при некоторой частоте, зависящей от параметров структуры. В обратной ситуации () ток сохраняет знак во всем интервале частот. Таким образом, появляется принципиальная возможность согласовать полученные ранее экспериментальные и теоретические результаты. В то же время квантовый режим высокочастотной генерации резонансно-туннельного диода, предсказанный ранее для α₁ = α₂, реализуется для любых α₁ и α₂. В этом режиме возможно достижение больших мощностей на частотах, значительно превышающих ширину резонансного уровня. В работе также показано, что механизм когерентного усиления в резонансно-туннельных диодах тесно связан с квантовой интерференцией резонансно-туннелирующих электронов и существенно отличается от обычно предполагаемого.