ЖЭТФ, Том 121,
Вып. 4,
стр. 897 (Апрель 2002)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 94, No 4,
p. 770,
April 2002
доступен on-line на www.springer.com
)
СПИН-РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТВЕРДОМ 3He В СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ
Солодовников И.С.
Поступила в редакцию: 7 Декабря 2001
PACS: 67.80.Jd, 67.80.Mg, 76.60.Es
В твердом 3He при температурах от 0.22 до 0.73 К в магнитном поле 44 Э проведены измерения времени T1 спин-решеточной релаксации. Возрастание величин T1 при температурах выше примерно 0.4 К связывается с включением вакансионного механизма подвижности атомов в кристалле. В рамках модели узкой энергетической зоны получены величины энергии активации вакансий. В точке минимума на кривой плавления в области доминирования обменных процессов движения атомов в кристалле проведены измерения T1 в зависимости от магнитного поля в диапазоне полей от 2 до 71 Э. Данные, полученные для полей свыше 5 Э, согласуются с теорией Кована и Фардиса.
|
|