КОНДЕНСАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПАР В ОБЪЕМНОМ GaAs ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ В РЕЖИМЕ ФЕМТОСЕКУНДНОГО КООПЕРАТИВНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Васильев П.П., Кан Х., Хирума Т.

Поступила в редакцию: 11 Марта 2001

PACS: 42.50.Fx, 71.35.Ee

DJVU (317.6K)

PDF (1035.2K)

Приведены результаты экспериментального исследования спектральных характеристик кооперативной рекомбинации электронно-дырочной плазмы высокой плотности в GaAs. Показано, что в условиях генерации мощных фемтосекундных импульсов сверхизлучения свойства электронов и дырок существенно отличаются от их свойств при лазерной генерации или обычной спонтанной рекомбинации. Пик линии кооперативного излучения (-1.407 эВ) смещен внутрь (неперенормированной) запрещенной зоны. Он расположен на 20 мэВ ниже по энергии, чем пик лазерной генерации, и более чем на 40 мэВ ниже центра линии спонтанной рекомбинации при том же уровне накачки. Это соответствует электронно-дырочной конденсации на дно зон. Свойства кооперативной рекомбинации могут быть обусловлены спариванием электронов и дырок и образованием короткоживущего когерентного электронно-дырочного БКШ-состояния. Оцененное значение параметра порядка Δ составило около 2 мэВ.