ТЕОРИЯ РЕЗОНАНСНЫХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОНОВ, ЛОКАЛИЗОВАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ЖИДКОГО ГЕЛИЯ
Григорьев П.Д., Дюгаев А.М.

Поступила в редакцию: 1 Февраля 2001

PACS: 67.55.-s

DJVU (121K)

PDF (433.1K)

В рамках модели независимых бозонов решена задача о форме линии оптического перехода электрона между связанными состояниями на поверхности жидкого гелия. Такие состояния реализуются, например, в потенциале положительно заряженной примеси, находящейся на подложке, или в поле иона He⁺, расположенного под поверхностью. Указано на важность процессов релаксации деформации поверхности жидкости (лунки) под электроном. Адиабатическое приближение, при котором лунка не изменяется за время электронного перехода, справедливо не всегда. При низких температурах возможно появление двух максимумов на линии поглощения. Показано, что далекие хвосты линии оптического поглощения имеют универсальную (правило Урбаха) экспоненциальную зависимость от энергии электронного перехода.