Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 119, Вып. 2, стр. 359 (Февраль 2001)
(Английский перевод - JETP, Vol. 92, No 2, p. 312, February 2001 доступен on-line на www.springer.com )

ФОРМИРОВАНИЕ ОСНОВНОГО СОСТОЯНИЯ В РЕЖИМЕ СИЛЬНЫХ ХАББАРДОВСКИХ КОРРЕЛЯЦИЙ В МОНОСИЛИЦИДЕ ЖЕЛЕЗА
Случанко Н.Е., Глушков В.В., Демишев С.В., Кондрин М.В., Иванов В.Ю., Петухов К.М., Самарин Н.А., Меневски А.А.

Поступила в редакцию: 4 Июля 2000

PACS: 71.27.+а

DJVU (1547.7K) PDF (3997.8K)

В основу анализа низкотемпературных аномалий физических свойств моносилицида железа положены результаты детальных измерений проводимости, коэффициентов Холла и термоэдс, а также магнитных характеристик, полученные на монокристаллических образцах FeSi высокого качества при гелиевых и промежуточных температурах. Показано, что наиболее полная и последовательная интерпретация магнитных, транспортных и оптических характеристик достигается в рамках модели Хаббарда. Определены параметры модели, приведены аргументы, свидетельствующие об образовании спиновых поляронов и перенормировке плотности состояний в FeSi в окрестности энергии Ферми при промежуточных температурах. Обнаружено, что с понижением температуры в интервале T< T_c\approx 15 К в системе спиновых поляронов в FeSi реализуется переход к когерентному режиму спиновых флуктуаций и в результате ферромагнитный характер взаимодействия обусловливает образование магнитных микрообластей размером \sim 10 . Обменное усиление намагниченности в окрестности носителя заряда в таких микрообластях, по-видимому, является причиной появления аномальной составляющей коэффициента Холла и гистерезиса намагниченности FeSi при гелиевых температурах. Обсуждается природа низкотемпературного перехода при T_m\approx 7 К в системе взаимодействующих магнитных микрочастиц в моносилициде железа.

 
Сообщить о технических проблемах