ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ КОМПОЗИТНЫХ ПЛЕНОК Cu:SiO₂. ЭКСПЕРИМЕНТ И ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
Закгейм Д.А., Рожанский И.В., Смирнова И.П., Гуревич С.А.

Поступила в редакцию: 15 Января 2000

PACS: 77.84.Lf, 71.24.+q, 72.20.Fr

В работе представлены экспериментальные данные о температурной зависимости проводимости композитных металл-диэлектрических пленок Cu : SiO₂, содержащих гранулы Cu размером 3 нм. При низких температурах в диапазоне концентраций Cu 17-33 об.% все температурные зависимости следуют закону , а при более высоких температурах наблюдается переход к активационной зависимости. С помощью численного моделирования проводимости композитного материала показано, что для объяснения наблюдаемых температурных зависимостей необходим учет кулоновского взаимодействия, а также наличие в системе достаточно большого случайного потенциала. В результате моделирования получены также зависимости величин мезоскопического разброса проводимостей композитных проводников от их размеров и температуры. Показано, что в области сильного мезоскопического разброса происходит образование самоизбираемого канала протекания тока.