
ЖЭТФ, Том 118,
Вып. 3,
стр. 622 (Сентябрь 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 91, No 3,
p. 541,
September 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
ТУННЕЛИРОВАНИЕ В РАЗМЕРНО-КВАНТОВАННУЮ ПЛЕНКУ
Хачатуров А.И.
Поступила в редакцию: 17 Ноября 1999
PACS: 73.40.Gk, 73.40.Rw
Предложена теоретическая модель, позволяющая рассчитывать характеристики туннельных переходов металл-изолятор-размерно-квантованная пленка в широком диапазоне напряжений. Смоделированы условия для наблюдения геометрического резонанса в дифференциальной туннельной проводимости, исследовано влияние температуры на резонансную осцилляционную структуру. Показано, что геометрический резонанс - не единственная возможность проявления стоячих волн в реальных неоднородных пленках. Так, для одной из полярностей напряжения возможно появление резистивных пиков, устойчивых к температурному размытию. Более того, квантование спектра в целом изменяет поведение кривой σ(V), сдвигая ее минимум на конечную величину относительно нуля напряжения. Предполагается, что именно этот эффект, не требующий для своего проявления каких-либо специальных условий, может служить признаком наличия стоячих волн в одном из электродов.
|
|