РЕЗОНАНСЫ ФАНО И ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОБАРЬЕРАХ
Ким Ч.С., Сатанин А.М., Штенберг В.Б.

Поступила в редакцию: 3 Января 2000

PACS: 73.40.-c, 73.40.Gk

Исследуется туннелирование электронов в гетероструктурах на основе полупроводников со сложным законом дисперсии. Для описания туннелирования через барьер используется обобщенный подход Фабри-Перо. Смешивание электронных состояний на гетерограницах определяет асимметричную резонансную структуру прозрачности, характеризующуюся парой резонанс-антирезонанс. При этом резонансу соответствует полюс, а антирезонансу - нуль амплитуды рассеяния в комплексной энергетической плоскости, т. е. вблизи полюса и нуля прозрачность гетеробарьера имеет структуру резонанса Фано. Показано, что при определенных параметрах барьера может происходить коллапс резонансов и могут появляться локализованные состояния в гетеробарьере, что проявляется на вольт-амперных характеристиках барьеров. В качестве примера рассмотрена двухдолинная модель гетероструктуры GaAs/Al_xGa_1-xAs/GaAs. Проанализирована структура резонансов в барьере в зависимости от типа использованных граничных условий для гетеропереходов. Рассчитана низкотемпературная вольт-амперная характеристика барьера.